固体摄像装置及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中,实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置,包括衬底(101);形成在衬底(101)上,具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域;形成在衬底(101)上,进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域;形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138),且,作为为防止铜扩散的扩散防止层,在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时,还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。

基本信息
专利标题 :
固体摄像装置及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1828918A
申请号 :
CN200610006244.6
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2006-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
森三佳内田干也藤原一夫山口琢己
申请人 :
松下电器产业株式会社
申请人地址 :
日本大阪府
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
汪惠民
优先权 :
CN200610006244.6
主分类号 :
H01L27/146
IPC分类号 :
H01L27/146  H01L23/532  H01L21/82  H01L21/768  
法律状态
2014-07-02 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移登记生效日 : 20140606
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702381903
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2006100062446
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 松下电器产业株式会社
变更后权利人 : 知识产权之桥一号有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 日本国东京都
2010-03-03 :
授权
2008-04-09 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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