立式分批处理装置

专利权的终止

摘要

本发明提供一种立式分批处理装置，为了去除多个被处理体上的半导体氧化膜，将上述半导体氧化膜变换为比上述半导体氧化膜易分散或升华的中间体膜。该装置包括：从配置于处理区域外侧的第1供给口向上述处理区域供给第1处理气体的第1处理气体供给系统；从配置于上述第1供给口与上述处理区域之间的第2供给口向上述处理区域供给第2处理气体的第2处理气体供给系统。在上述第1供给口与上述第2供给口之间，配置通过激发上述第1处理气体从而生成第1活性种的等离子体生成区域。利用上述第1活性种与上述第2处理气体的反应，生成为了形成上述中间体膜而与上述半导体氧化膜反应的反应物质。

基本信息

专利标题：

立式分批处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1822328A

申请号：

CN200610007752.6

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-02-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

松浦广行

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200610007752.6

主分类号：

H01L21/3105

IPC分类号：

H01L21/3105