处理室和处理装置
授权
摘要
本发明的目的是在不减小处理室内部尺寸的情况下，抑制外形尺寸的扩大，并减轻其重量。真空室(10)的本体(10a)的长边方向的侧壁(61a、61b)的壁厚L1形成为比侧壁(62a、62b)的壁厚L2薄，盖体(10b)的上部侧壁(63a、63b)的壁厚形成为比上部侧壁(64a、64b)的壁厚薄。在使用时，为了加固侧壁(61a、61b)和上部侧壁(64a、64b)的强度，外装可装卸的加固板(90a～90d)。
基本信息
专利标题 ：
处理室和处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841648A
申请号 ：
CN200510112936.4
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
天野健次
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510112936.4
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-07-23 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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