用于制备多组分薄膜的多蒸发源系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种用于制备多组分薄膜的多蒸发源系统，包括真空室，真空室内布设有多个电子枪加热蒸发源，每个电子枪蒸发源包括一电子枪、一传感器和一坩锅，两两蒸发源之间均设置有电磁屏蔽装置。与现有技术相比，本发明通过在两两电子枪加热蒸发源之间设置电磁屏蔽装置后，有效地避免了电子枪之间的磁场干扰问题，保证了电子枪产生的电子束能够按照既定方向作用于蒸发材料，为多源多枪薄膜制备方法的应用创造了条件。同时，在传感器的端部设置套筒后，使得每个传感器只定向接收相对应蒸发源发出的蒸发粒子，既保证了传感器的检测准确性，又使探头不致接收过多到的蒸发粒子，从而有助于延长传感器的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
用于制备多组分薄膜的多蒸发源系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1814855A
申请号 ：
CN200610008066.0
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
樊菁舒勇华刘宏立
申请人 ：
中国科学院力学研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区北四环西路15号
代理机构 ：
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
尹振启
优先权 ：
CN200610008066.0
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2008-09-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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