具有表面增强拉曼光谱活性基底的微流控芯片及制备方法
专利权的终止
摘要

具有表面增强拉曼光谱活性基底的微流控芯片及制备方法,涉及一种微流控芯片,提供一种在部分或全部具有SERS活性基底的粗糙金属薄膜的微流控芯片及制备方法。在微流控芯片上设有至少一条微通道,在微通道的全部或部分内壁表面有一层具有SERS活性的粗糙金属薄膜。制备时在玻璃或高分子材料薄片上加工凹槽;在凹槽的全部或部分区域,通过物理蒸发、溅射或化学沉积的方法结合掩膜技术制备币族金属薄膜;通过化学法或电化学的方法将币族金属薄膜粗糙化;将带凹槽的薄片与带孔洞的薄片进行热键合或等离子体活化键合即得到具有完整密闭微沟道的微流控芯片。所需设备简单,操作简便,所制备的SERS活性基底活性高,能得到很强的拉曼信号。

基本信息
专利标题 :
具有表面增强拉曼光谱活性基底的微流控芯片及制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1811389A
申请号 :
CN200610008767.4
公开(公告)日 :
2006-08-02
申请日 :
2006-02-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
周勇亮郝苇苇张维任斌
申请人 :
厦门大学
申请人地址 :
361005福建省厦门市思明南路422号
代理机构 :
厦门南强之路专利事务所
代理人 :
马应森
优先权 :
CN200610008767.4
主分类号 :
G01N21/65
IPC分类号 :
G01N21/65  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发,因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2015-04-01 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101603734482
IPC(主分类) : G01N 21/65
专利号 : ZL2006100087674
申请日 : 20060210
授权公告日 : 20090304
终止日期 : 20140210
2009-03-04 :
授权
2006-09-27 :
实质审查的生效
2006-08-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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