具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片，包括：基层、N型氮化镓层、有源区、P型氮化镓层、电流扩散层、P电极以及与N型氮化镓层连接的N电极。所述的电流扩散层和P电极之间还设有可使电流扩散层和P电极导通的第一缓冲层，N型氮化镓层和N电极之间设有可使N型氮化镓层和N电极导通的第二缓冲层。将大部分焊线电极放置于缓冲层之上，使得焊线时大部分温度和压力冲击由缓冲层吸收，提高了焊接可靠性和焊接后的良品率，并可使用铝合金作为电极，大大降低了芯片制造的成本，而且降低了后段封装的成本。
基本信息
专利标题 ：
具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828955A
申请号 ：
CN200610033365.X
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴质朴马学进
申请人 ：
吴质朴
申请人地址 ：
518000广东省深圳市宝安区西乡镇鹤洲鸿图工业园B栋3楼
代理机构 ：
深圳市康宏知识产权代理事务所
代理人 ：
胡朝阳
优先权 ：
CN200610033365.X
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2008-07-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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