一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件，该器件包括：依次设置于衬底层上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层、P‑GaN帽层；设置于AlGaN层上的两个欧姆电极；设置于P‑GaN帽层上及P‑GaN帽层两侧的栅介质层；设置于欧姆电极与P‑GaN帽层两侧的栅介质层之间AlGaN层上的钝化层；设置于栅介质层上和填充栅介质层凹槽内的栅电极；其中，P‑GaN帽层上栅介质层上的栅电极和填充于若干凹槽内的栅电极构成MIS栅电极结构和肖特基栅电极结构的混合栅结构；P‑GaN帽层两侧的栅介质层上的栅电极和P‑GaN帽层两侧的栅介质层构成场板结构。本实用新型提高了器件栅电极的阈值电压，提高了器件的开关频率，同时提升了器件栅电极的长期可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有混合栅电极结构的氮化镓常关型器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121958168.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-19
授权号 ：
CN216671641U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
蒲涛飞李柳暗敖金平
申请人 ：
宁波铼微半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区大碶街道微山湖路16号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李园园
优先权 ：
CN202121958168.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L29/40 H01L29/45 H01L21/335
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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