一种氮化镓芯片的电极结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓芯片的电极结构，包括绝缘防尘密封并且透光的封装层，封装层的内表面封装有发光芯片，发光芯片的顶端装配有N型电极和P型电极，本实用新型设置了一种带有发光芯片、封装层和电极的氮化镓芯片，在使用时，将N型电极和P型电极分别焊接在对应的供电电极位置，在电极通电后，电源正极的电流从P型电极流入经过P型氮化镓层后经过PN结作用，电流从N型电极流出进入电源的负极，从而保证氮化镓层发光，在焊接时，凹槽结构能够提高电极与供电部位的连接力，通过散热孔和空腔结构利用金属的导热性能好的能力提高散热效果，有效的解决了现有的LED芯片结构与集成电路板底端的缝隙小，散热效果差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓芯片的电极结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020506392.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-09
授权号 ：
CN211605179U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
尹宝堂
申请人 ：
辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省盘锦市兴隆台区兴业街30号、高新技术产业开发区科技孵化器5层516室
代理机构 ：
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
王翠
优先权 ：
CN202020506392.X
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/62 H01L33/64
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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