一种芯片电极新布局结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种芯片电极新布局结构，包括内部芯片，所述内部芯片顶部焊接有栅极焊点，所述栅极焊点位于内部芯片中心处，所述内部芯片顶部靠近左右两侧处均设有元胞，两个所述元胞为前后设置，所述栅极焊点通过导线与各个元胞固定连接，通过将栅极焊点焊接在内部芯片的中心部位，从而使栅极焊点到各个元胞的距离相等，使栅极控制元胞同时进行启动，从而减小元胞开启的时间不一带来的影响，使芯片的使用性能提高。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片电极新布局结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021627322.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
CN212571006U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
汤为孙效中李江华
申请人 ：
常州旺童半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区科教城铭赛科技大厦C503
代理机构 ：
常州品益专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张岳
优先权 ：
CN202021627322.6
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L23/04 H01L23/00 H01L23/48 H01L29/78
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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