一种小尺寸LED芯片电极结构
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摘要

本实用新型属于LED器件技术领域,具体公开小尺寸LED芯片电极结构,包括芯片电极和焊接在芯片电极上的左焊线和右焊线,所述左焊线为设有三个拐角的且在空间上成三维立体的线弧结构,其包括直线段、向着远离芯片侧弯曲的第一弧线段,向着靠近芯片侧弯曲的第二弧线段以及在水平向延伸的过渡段和用于连接的左连接段,所述右焊线包括右向上延伸直线段、向下倾斜的倾斜线段、以及在水平向延伸的右连接段,所述第一拐角的高度与右焊线的顶点高度一致,所述直线段、第一弧线段、第二弧线段整体是向靠近芯片中心倾斜。该电极结构,能在更小的电极上进行焊线,有效提高了芯片发光面积占比,有效提高芯片的亮度,同时降低其生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种小尺寸LED芯片电极结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020850249.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-20
授权号 :
CN212392258U
授权日 :
2021-01-22
发明人 :
皮保清袁超韦升聪石红丽
申请人 :
中山市木林森电子有限公司
申请人地址 :
广东省中山市小榄镇木林森大道1号1-10幢/11幢一楼/12-15幢(增设2处经营场所:小榄镇裕成三街6号;小榄镇南泰街1号)
代理机构 :
广州新诺专利商标事务所有限公司
代理人 :
曹爱红
优先权 :
CN202020850249.2
主分类号 :
H01L33/36
IPC分类号 :
H01L33/36  H01L33/62  
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法律状态
2021-01-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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