一种LED芯片P电极的结构
授权
摘要
本实用新型属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片P电极的结构，从下至上依次包括衬底、N型层、有源层和P型层，所述N型层上设有台面，所述台面上设置有N电极，所述P型层上设置有ITO电流扩展层，所述ITO电流扩展层上设置有P电极；所述N电极的前后两端沿所述台面向所述P电极方向均延伸有第一电极扩展条；所述P电极的前后两端沿所述ITO电流扩展层向所述N电极方向均设置有第二电极扩展条，通过在N电极5的前后延伸设有两个第一电极扩展条51，N电极5以及与N电极5延伸的第一电极扩展条51三者之间形成有间隙，同时P电极7设有插接于该间隙中间的两个第二电极扩展条71，使电流比较均匀，将会有更好的扩展效果。
基本信息
专利标题 ：
一种LED芯片P电极的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020506546.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-09
授权号 ：
CN211605180U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
尹宝堂
申请人 ：
辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省盘锦市兴隆台区兴业街30号、高新技术产业开发区科技孵化器5层516室
代理机构 ：
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
王翠
优先权 ：
CN202020506546.5
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/14
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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