一种LED芯片N电极的结构
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摘要
本实用新型属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片N电极的结构，包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO电流扩展层、P电极和N电极。所述N型层、所述有源层和所述P型层从下至上依次形成在所述衬底上。所述N型层上设置与之相连接的所述N电极。所述P型层的外侧壁铺设有N型半导体粗化层，每两个所述粗化条之间形成倒置梯形腔，且所述倒置梯形腔内底部设有导热硅胶条。通过N型半导体粗化层由于与P型层形成反向PN节无法直接向下传导电流，进而使电流分布更均匀，而且在每相邻两个粗化条之间的倒置梯形腔内设有导热硅胶条，可以更好地将电流产生的热量大的地方通过导热硅胶条进行吸收传导出去，起到了降低结温的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种LED芯片N电极的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020506307.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-09
授权号 ：
CN211605178U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
尹宝堂
申请人 ：
辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省盘锦市兴隆台区兴业街30号、高新技术产业开发区科技孵化器5层516室
代理机构 ：
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
王翠
优先权 ：
CN202020506307.X
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/64 H01L33/14
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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