一种氮化镓集成芯片的结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓集成芯片的结构，包括发光芯片，发光芯片的外表面装配有用于支撑保护发光芯片结构的外壳，本实用新型设置了一种带有反光芯片和外壳的LED芯片，在使用时，通过加强硬度的加强块结构的限制效果，提高在芯片应用的焊接工序实施之前，引脚的弯折过程中，外壳边缘的结构强度，避免发生绝缘层损坏，影响后期使用的问题，并且通过电极片外表面开设的凹槽，方便电极片的弯折和焊接，提高LED芯片整体在使用的过程中本体的结构强度和连接强度，有效的解决了现有的LED芯片在组成其他构件时的焊接工序中，电极引脚在弯曲时容易造成电极附近其他的绝缘材料开裂造成后期容易发生漏电风险的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓集成芯片的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020506390.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-09
授权号 ：
CN211605184U
授权日 ：
2020-09-29
发明人 ：
尹宝堂
申请人 ：
辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省盘锦市兴隆台区兴业街30号、高新技术产业开发区科技孵化器5层516室
代理机构 ：
沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
王翠
优先权 ：
CN202020506390.0
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/54
法律状态
2020-09-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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