半导体均压层和中导电性硅橡胶及制备合成绝缘子的工艺
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种半导体均压层和中导电性硅橡胶以及采用半导体均压层和中导电性硅橡胶制备特高压合成绝缘子端部半导体层均压装置的工艺，其中半导体均压层和中导电性硅橡胶其采用高温硫化硅橡胶制成，其特征在于：其主要组成原料包括110－2生胶体系、气相法白炭黑和导电炭黑补强填充体系、硅烷偶联处理剂等组份。上述原料的重量配比为100份110－2生胶体系、20～40份气相法白炭黑和10～18份导电炭黑补强填充体系、1～15份硅烷偶联处理剂。本发明通过半导体形的电阻率将高压端产生的磁场降低，减少金具电晕、材料表面持续放电等现象的发生及防止芯棒端部被加速老化。
基本信息
专利标题 ：
半导体均压层和中导电性硅橡胶及制备合成绝缘子的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1923898A
申请号 ：
CN200610033509.1
公开（公告）日 ：
2007-03-07
申请日 ：
2006-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵杰李立浧饶宏梁曦东罗兵张德进黄梓容刘铁桥黄肖霞芮献敬
申请人 ：
南方电网技术研究中心;东莞市高能实业有限公司
申请人地址 ：
510620广东省广州市珠江新城华穗路6号40号房
代理机构 ：
东莞市华南专利事务所有限公司
代理人 ：
张明
优先权 ：
CN200610033509.1
主分类号 ：
C08L83/00
IPC分类号 ：
C08L83/00 C08K5/54 H01B3/28 C08K3/04 C08K3/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L83/00
由只在主链中形成含硅的，有或没有硫、氮、氧或碳键的反应得到的高分子化合物的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物
法律状态
2009-01-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-02 ：
实质审查的生效
2007-03-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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