硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法是硅各向异性腐蚀过程模拟技术,该方法满足以下两个条件:a、采用硅的晶格结构作为元胞自动机的晶格结构,通过在衬底表层引入更多硅的各向异性腐蚀过程中常出现的晶面,并且由衬底表层元胞腐蚀过程中出现的晶面影响硅衬底内部元胞的腐蚀过程,b、衬底表层元胞的腐蚀过程中表层元胞边界条件的确定只与表层元胞有关,在相同的条件下,在边界条件的确定和高密勒指数晶面的确定过程中,所需考虑得元胞的元胞数目减少,具有较高的精度以及较快的模拟速度;本发明具有运算速度快、精度高的优点。这对于有效地实现硅各向异性腐蚀过程快速精确模拟具有实用意义。

基本信息
专利标题 :
硅各向异性腐蚀过程模拟的元胞自动机方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1810628A
申请号 :
CN200610037762.4
公开(公告)日 :
2006-08-02
申请日 :
2006-01-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
周再发黄庆安李伟华
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
210096江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 :
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 :
叶连生
优先权 :
CN200610037762.4
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2009-03-25 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-27 :
实质审查的生效
2006-08-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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