一种制备多枝状羟基氧化锰单晶纳米花的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种制备多枝状羟基氧化锰单晶纳米花的方法，该方法是以高锰酸钾为氧化剂，聚乙二醇为还原剂，在密闭反应器中，于100～200℃的温度下进行水热反应，通过控制反应温度、反应时间和原料配比，可制备出多枝状羟基氧化锰单晶纳米花，各分枝的直径在40～100nm，长度为800～1200nm。该方法原料廉价易得，工艺简单，成本低，产品纯度高，质量稳定，易于实现规模化工业生产。制得的多枝状羟基氧化锰单晶纳米花可广泛用于锂离子电池、分子筛等以及相关领域的基础理论研究。
基本信息
专利标题 ：
一种制备多枝状羟基氧化锰单晶纳米花的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1831210A
申请号 ：
CN200610049546.1
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
糜裕宏张孝彬
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200610049546.1
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/16 C30B29/62 C01G45/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2011-04-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101065106745
IPC(主分类) : C30B 7/10
专利号 : ZL2006100495461
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20071107
终止日期 : 20100220
号牌文件序号 : 101065106745
IPC(主分类) : C30B 7/10
专利号 : ZL2006100495461
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20071107
终止日期 : 20100220
2007-11-07 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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