一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法，将Si粉与多壁碳纳米管作为原材料置于氧化铝坩锅里，然后将坩锅放置于真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率到1410～1600℃，保温时间3～9个小时，整个装置在Ar的气氛下进行；反应结束后，关掉加热电源，冷却水一直循环直至整个装置完全冷却，最后大量的灰白色的产物在氧化铝坩锅内；取出产物后用体积比为1∶2的氢氟酸与硝酸混合液，除去多余未反应的硅得到碳化硅纳米线粉体；此外，在坩锅的盖上也存在葫芦状纳米碳化硅。本发明产品的质量较高，无层错等缺陷，且碳化硅纳米线很直，直径分布比较均匀；制备了少量葫芦状纳米碳化硅；反应设备简单，方法简单，工艺易于操作。
基本信息
专利标题 ：
一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1834309A
申请号 ：
CN200610049682.0
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建军潘颐杨光义吴仁兵
申请人 ：
浙江理工大学
申请人地址 ：
310018浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林怀禹
优先权 ：
CN200610049682.0
主分类号 ：
C30B1/00
IPC分类号 ：
C30B1/00 C30B29/36 C30B29/62 C01B31/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B1/00
直接自固体的单晶生长
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004440281
IPC(主分类) : C30B 1/00
专利号 : ZL2006100496820
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20070808
号牌文件序号 : 101004440281
IPC(主分类) : C30B 1/00
专利号 : ZL2006100496820
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20070808
2007-08-08 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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