薄且均匀的银纳米线、合成方法和由所述纳米线形成的透明导电...
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摘要
本发明描述了高度均匀且薄的银纳米线，其具有低于20纳米的平均直径以及小的直径标准偏差。所述银纳米线具有高的高宽比。所述银纳米线的特征可在于具有大于18纳米的直径且在稀溶液中具有蓝移的窄吸收光谱的少量纳米线。描述了允许合成窄且均匀的银纳米线的方法。由薄且均匀的银纳米线形成的透明导电膜可具有非常低水平的雾度和低ΔL*(漫射发光度)值，使得所述透明导电膜可提供黑色背景的外观的极小改变。
基本信息
专利标题 ：
薄且均匀的银纳米线、合成方法和由所述纳米线形成的透明导电膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111602209A
申请号 ：
CN201880086347.9
公开（公告）日 ：
2020-08-28
申请日 ：
2018-12-05
授权号 ：
CN111602209B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
胡永星李英熙杨希强静·顺·安格阿加依·维尔卡
申请人 ：
C3奈米有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘锋
优先权 ：
CN201880086347.9
主分类号 ：
H01B1/02
IPC分类号 ：
H01B1/02 H01B1/20 H01B1/22 H05K1/09 C09D11/52 B22F9/16 B22F9/18 B22F9/24
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B1/00
按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择
H01B1/02
主要由金属或合金组成的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-09-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 1/02
申请日 : 20181205
申请日 : 20181205
2020-08-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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