一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途
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摘要
本发明涉及一种集成的三维超导复合磁场传感器,其包括三个两两垂直的一维磁场传感器,每个一维传感器包括:一个片基和其上的缓冲层,在缓冲层上依次沉积了磁场测量单元和电极层,覆盖在磁场测量单元和电极层周围和之上的绝缘层,沉积在绝缘层之上的超导环路和绝缘层之上的覆盖层。该集成的三维超导复合磁场传感器是利用磁控溅射仪在片基上依次沉积各层而得。与现有的磁场传感器相比,本发明提供的集成的三维超导复合磁场传感器分辨率很高,能够用来测量地磁场甚至更小的磁场。同时,本发明提供的传感器是三维磁场的传感器,比一般的一维传感器应用范围更广。
基本信息
专利标题 :
一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101034145A
申请号 :
CN200610057375.7
公开(公告)日 :
2007-09-12
申请日 :
2006-03-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
覃启航韩秀峰王磊马明赖武彦詹文山
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 :
高存秀
优先权 :
CN200610057375.7
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09 H01L43/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2011-05-04 :
授权
2007-11-07 :
实质审查的生效
2007-09-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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