积层式被动元件的绝缘结构及其制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种积层式被动元件的绝缘结构及其制作方法，是在积层式被动元件的表面上制作一绝缘保护膜，经温度处理后，外电极下方的绝缘保护膜将转变成半导体/导体，而其它区域的绝缘保护膜仍在本体表面呈现绝缘体状态，这样，不但制程简易，同时还能保护被动元件不受后面制程的侵蚀，不需额外材料与设备，此外，加工速度与一般沾涂外电极的加工速度相同，可快速大量生产。
基本信息
专利标题 ：
积层式被动元件的绝缘结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101030523A
申请号 ：
CN200610058640.3
公开（公告）日 ：
2007-09-05
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾明灿陈勇吉
申请人 ：
佳邦科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
彭焱
优先权 ：
CN200610058640.3
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2007-09-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
