一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
专利权的终止
摘要

一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上电极(10)、电流扩展层(20)、上限制层(30)、有源区(400)、下限制层(50)、缓冲层(60)、衬底(70)、下电极(80),DBR反光层(90),在上电极与电流扩展层之间设置有导电透光层,电流阻挡层(120)设置在电流扩展层里面或下面或上面,由导电透光层、电流扩展层和电流阻挡层结合形成电流输运窗口层。本实用新型制作工艺简单,电流输运增透窗口层减小了无效电流产生的光及热损耗;增大了出光角度,提高了光提取效率,增加了发光强度,器件更有利于大电流下工作;小尺寸管芯可获得大光强高光功率输出,产量高;成本低,适合批量生产。

基本信息
专利标题 :
一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620172812.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-29
授权号 :
CN201060869Y
授权日 :
2008-05-14
发明人 :
沈光地陈依新韩金茹
申请人 :
北京工业大学
申请人地址 :
100022北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 :
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 :
沈波
优先权 :
CN200620172812.5
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2016-02-24 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101648078632
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201728125
申请日 : 20061229
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20141229
2008-05-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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