电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管
专利权的终止
摘要

电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管,属于半导体光电子技术领域。包括上电极(100)、由导电增透出光层(130)、电流阻挡层(110)和电流扩展层(201)构成的电流输运增透窗口层(111)、上限制层(300)、有源区(500)、下限制层(400)、图形化的电流扩展层(202)、导电高反光层(140)、导电键合层(150)和转移衬底(160)或上电流扩展层(200)、导电键合层(150)、导电高反光层(140)和图形化的转移衬底(161)构成的支架、下电极(800)。本实用新型增强了电流扩展和光输出,能够大大地提高出光效率,实现高效率、高亮度LED发光,热性能及可靠性高。

基本信息
专利标题 :
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720103353.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-01-26
授权号 :
CN201036231Y
授权日 :
2008-03-12
发明人 :
沈光地陈依新李建军蒋文静韩金茹
申请人 :
北京工业大学
申请人地址 :
100022北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 :
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 :
沈波
优先权 :
CN200720103353.X
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2016-03-23 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651900506
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL200720103353X
申请日 : 20070126
授权公告日 : 20080312
终止日期 : 20150126
2008-03-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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