采用热喷涂生产基于硅与锆的靶的方法
专利权的终止
摘要
采用热喷涂，特别地采用等离子体法生产靶的方法，所述的靶含有至少一种不同性质原子基的化合物，它们特别选自属于族(Xr、Mo、Ti、Nb、Ta、Hf、Cr)的组分M和硅，其特征在于注入至少一部分所述的化合物，它的这些组分在等离子体推进器中是由共价键和/或离子键和/或金属键连接的，所述的等离子体推进器将所述化合物的这些组分喷射到该靶上，以便达到在所述靶的一部分表面上沉积所述的化合物。
基本信息
专利标题 ：
采用热喷涂生产基于硅与锆的靶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101115861A
申请号 ：
CN200680004356.6
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-02-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·纳多德D·比利尔斯
申请人 ：
法国圣戈班玻璃厂
申请人地址 ：
法国库伯瓦
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘维升
优先权 ：
CN200680004356.6
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2019-01-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/34
申请日 : 20060203
授权公告日 : 20120627
终止日期 : 20180203
申请日 : 20060203
授权公告日 : 20120627
终止日期 : 20180203
2012-06-27 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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