硅制靶板及其制备、再生方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种硅制靶板的制备方法，包括以下步骤：S1，提供硅基底，并在所述硅基底上使用掩模版结合磁控溅射技术表面沉积多个金质靶点；S2，将所述沉积有金质靶点的硅基底在无水汽氛围下高温下氧化处理，使所述硅基底的表面被氧化形成氧化硅层；S3，在所述氧化硅层表面形成疏水镀膜，其中，所述金质靶点被所述疏水镀膜包围；S4，去除所述金质靶点表面的疏水官能团，形成所述硅制靶板。本发明还进一步提供一种通过上述方法获得的硅制靶板及其再生方法。
基本信息
专利标题 ：
硅制靶板及其制备、再生方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277347A
申请号 ：
CN202111612835.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余竞雄刘兰沈杰晖
申请人 ：
厦门金诺花生物技术有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区市头路98号二层B室
代理机构 ：
厦门原创专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄巧香
优先权 ：
CN202111612835.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/04 C23C14/16 C23C14/58 C23C14/54 C23C14/24 G01N27/62
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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