一种多晶硅靶材
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摘要
本实用新型属于靶材技术领域，尤其为一种多晶硅靶材，包括框体、第三铜基板和第四铜基板，所述框体的内壁开设有凹槽，且凹槽的内侧安装有卡块，所述卡块的左侧安装有第一铜基板，且第一铜基板的外壁安装有螺纹板，所述螺纹板的内侧设置有固定杆，且固定杆的底端设置有螺纹套，所述螺纹套的外侧设置有第二铜基板，且第二铜基板的右侧安装有固定块，并且固定块的中部设置有螺纹杆，所述第三铜基板安装于第二铜基板的底端，且第三铜基板的外壁安装有连接块，所述连接块的顶端安装有活动轴，且活动轴的外侧安装有衔接板，所述第四铜基板安装于第三铜基板的底部。该多晶硅靶材装置组装拆卸更换便捷程度高，成本消耗小，板块之间衔接稳定性强。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶硅靶材
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020717506.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-06
授权号 ：
CN211999895U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
杨小岗
申请人 ：
陕西欧凯利靶材股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省宝鸡市高新开发区八鱼镇姬家殿村八组
代理机构 ：
西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
麦春明
优先权 ：
CN202020717506.5
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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