本实用新型为一种化学气相沉积法制备多晶硅靶材的装置。该装置包括该装置的组成包括炉体、钢罩、底盘、金属管、第一石墨电极和第二石墨电极；所述的炉体为钢制圆筒，顶部设置有钢罩，底部设置有钢制底盘，二者将炉体密闭；所述的底盘中心设置有尾气出气口；上表面围绕出气口环形均匀分布有4～10个第二石墨电极，每个第二石墨电极上安装有可调节卡槽，卡槽内固定垂直安装的金属管的底端，金属管的底端和第二石墨电极电连接。本实用新型综合考虑化学气相沉积法和磁控溅射的溅射源的结构，获得直接接合在衬底管上的多晶硅靶材。