细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备方法及其制备设备
公开
摘要

细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备方法及其制备设备,所述铸锭设备为多晶铸锭炉,包括上炉体、下炉体、隔热笼、石英陶瓷坩埚、顶加热器件、四周侧加热器件、石墨热交换台,在石英陶瓷坩埚外壁石墨软毡外周设置有碳/碳复合保温方框,在上炉体内壁上安装有非接触电磁搅拌装置。其铸锭制备方法步骤:(1)优化多晶铸锭炉热场均匀性;(2)增设非接触硅液电磁搅拌装置;(3)调整多晶铸锭工艺配方参数,延缓晶体生长速率。本发明采用碳/碳复合保温方框及填充石墨软毡作坩埚侧部隔热保温,较常规使用隔热材料,装拆炉更为方便快捷,且石墨软毡每次装拆都能保证厚度均匀一致,到达良好的隔热保温作用。

基本信息
专利标题 :
细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备方法及其制备设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114561697A
申请号 :
CN202210198284.4
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-03-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
盛旺范占军杜朋轩盛之林谢永龙
申请人 :
宁夏高创特能源科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区吴忠市金积工业园区金纬三路南侧
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
郭立宁
优先权 :
CN202210198284.4
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06  C30B29/06  C23C14/34  C23C14/35  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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