硅线的制备方法
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摘要
本发明涉及一种硅线的制备方法，其利用铜作为催化剂。所述方法包括以下步骤：提供一个基底；在基底上引入铜作为催化剂；以及将带有铜催化剂的基底放置于高温反应炉中并充入反应气体和惰性保护气体同时加热生成硅线。
基本信息
专利标题 ：
硅线的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000867A
申请号 ：
CN200610032947.6
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚湲徐立国范守善
申请人 ：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华大学物理系
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610032947.6
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/28 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2009-02-18 ：
授权
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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