本发明公开了一种基于晶体硅刚线废料制备太阳能级单晶硅的方法，属于二次资源利用领域，具体步骤如下：首先将刚线废料烘干，然后与添加剂进行充分混合，混合后的物料直接装入多晶炉所用的坩埚中，在装料的过程中加入一定比例的晶体硅作为籽晶，装料结束后入炉铸锭，铸锭完成去除表面渣，剩余部分进行破碎、酸洗，检测其纯度，纯度达到6N以上进行拉晶，拉晶结束后得到太阳能级单晶硅棒，如果检测铸锭试样纯度没有达到6N，则进行二次铸锭，然后再进行拉晶得到太阳能级单晶硅，该方法工艺简单、流程短、可操作性强，实现了变废为宝，缓解了环境污染问题的同时提高了产品的附高价值。