一种利用晶体硅金刚线切割废料制备太阳能级硅的方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种利用晶体硅金刚线切割废料制备太阳能级硅的方法,首先对金刚线切割废料进行烘干,然后与造渣剂充分混合,混合后物料直接置于熔炼炉进行造渣精炼,造渣精炼结束后进行通气精炼,保温静置使渣金分离,渣金分离后直接把硅液倒入已预热的铸锭所用的坩埚中,并迅速入炉升温抽真空进行铸锭,把剩下的硅渣倒入另外的模具中冷却处理,铸锭完成后把顶端和底部杂质含量较多的部分去除,即硅纯度低于5N,得太阳能级多晶硅,也可作为单晶原料;对单晶原料破碎、酸洗,然后拉单晶,拉晶结束后得到太阳能级单晶硅;该方法实现了变废为宝,不仅工艺简单、流程短,减少了环境污染问题,还实现了可循环经济的发展模式,提高了产品的高附加值。

基本信息
专利标题 :
一种利用晶体硅金刚线切割废料制备太阳能级硅的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114540941A
申请号 :
CN202210160085.4
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邢鹏飞张照阳吴纪清王艺澄庄艳歆郭晓琳李海煜王帅何光贵
申请人 :
东北大学;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请人地址 :
辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
代理机构 :
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
任立
优先权 :
CN202210160085.4
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  C30B28/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20220222
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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