硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种能够将硅芯线的表面整体均匀蚀刻的装置。硅芯线(C1、C2、C3)的蚀刻装置(1)具备：蚀刻液槽(11、12)，蚀刻液槽(11、12)容纳蚀刻液(L1、L2)；多个芯线支持构件(31)，芯线支持构件(31)形成有硅芯线(C1、C2、C3)所贯穿的孔(31A)，并且支持硅芯线(C1、C2、C3)；以及位置改变机构(40)，位置改变机构(40)使硅芯线(C1、C2、C3)所贯穿的相对位置相对于孔(31A)改变。
基本信息
专利标题 ：
硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114555524A
申请号 ：
CN202080071162.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阪井纯也横濑卓矢
申请人 ：
株式会社德山
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京信诺创成知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑世奇
优先权 ：
CN202080071162.8
主分类号 ：
C01B33/021
IPC分类号 ：
C01B33/021 B08B3/04 C23F1/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/021
申请日 : 20200904
申请日 : 20200904
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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