堆叠存储单元的钴自启动化学镀通道填充
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于化学镀填充堆叠存储单元互连部件的方法,包括通过在该部件的导电底部将包括钴离子和还原剂的组合物中的钴离子还原为钴金属从而启动自底而上填充的化学沉积。一种用于在高纵横比的堆叠存储单元互连部件中进行钴化学沉积的化学沉积组合物,该组合物包括水、钴离子、络合剂、缓冲剂、硼烷基还原剂组分以及次磷酸盐还原剂组分。硼烷基还原剂与次磷酸还原剂的浓度比约小于0.5。
基本信息
专利标题 :
堆叠存储单元的钴自启动化学镀通道填充
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101163557A
申请号 :
CN200680012996.1
公开(公告)日 :
2008-04-16
申请日 :
2006-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈青云理查德·哈士比瑟克里斯蒂安·怀特约瑟夫·A·阿比斯丹尼尔·斯屈奇查尔斯·瓦维德
申请人 :
恩索恩公司
申请人地址 :
美国康耐提格州
代理机构 :
北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人 :
梁朝玉
优先权 :
CN200680012996.1
主分类号 :
B05D1/18
IPC分类号 :
B05D1/18
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B05
一般喷射或雾化;对表面涂覆流体的一般方法
B05D
对表面涂布流体的一般工艺
B05D1/00
涂布液体或其他流体的工艺
B05D1/18
用浸渍方法
法律状态
2011-01-26 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101063319705
IPC(主分类) : B05D 1/18
专利申请号 : 2006800129961
公开日 : 20080416
号牌文件序号 : 101063319705
IPC(主分类) : B05D 1/18
专利申请号 : 2006800129961
公开日 : 20080416
2008-06-11 :
实质审查的生效
2008-04-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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