聚合物介电特性的特征化技术

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

公开了一种用于在施加的DC电场下、在宽频率和温度范围的聚合物特征化的测试结构。高电阻率硅衬底(40)由粘合层(30)覆盖。聚合物薄膜(20)淀积于图案化金属层1之上，该金属层1淀积于粘合层之上。在聚合物薄膜上淀积顶部金属层2并图案化以形成CPW传输线。对金属2上的CPW传输线的中央导体施加单偏置电压并影响聚合物的介电特性。聚合物的介电常数和损耗因数通过测量扫频散射参数和将实验频率响应与模型化频率响应匹配而作为电场和温度的函数导出。在宽的温度范围上利用该测试结构可以准确地特征化聚合物的传导特性。

基本信息

专利标题：

聚合物介电特性的特征化技术

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101171509A

申请号：

CN200680014935.9

公开（公告）日：

2008-04-30

申请日：

2006-03-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

古鲁·萨布拉曼亚姆

申请人：

代顿大学

申请人地址：

美国俄亥俄

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

优先权：

CN200680014935.9

主分类号：

G01N27/22

IPC分类号：

G01N27/22 G01N22/00