N沟道大功率半导体恒电流二极管

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种N沟道大功率半导体恒电流二极管，它包括N型半导体衬底(2)，在N型半导体衬底(2)下连接有电极(1)，在N型半导体衬底(2)上设有P型半导体区域(6)和(3)，在P型半导体区域(6)和(3)之间设有N型沟道(4)，在N型沟道(4)上设有N⁺型半导体(7)，P型半导体区域(3)、N⁺型半导体区域(7)与P型半导体区域(6)通过电极(8)连接，在P型半导体区域(3)上设有N⁺型半导体(5)，N⁺型半导体(5)连接有电极(9)。本实用新型的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，结构简单，可以直接恒流驱动负载的优点。

基本信息

专利标题：

N沟道大功率半导体恒电流二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720200015.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-01-15

授权号：

CN201066691Y

授权日：

2008-05-28

发明人：

刘桥

申请人：

贵州大学

申请人地址：

550003贵州省贵阳市蔡家关

代理机构：

贵阳中新专利商标事务所

代理人：

刘楠

优先权：

CN200720200015.8

主分类号：

H01L29/861

IPC分类号：

H01L29/861

法律状态

2015-03-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101600904389
IPC(主分类) : H01L 29/861
专利号 : ZL2007202000158
申请日 : 20070115
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20140115

2008-05-28 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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