一种可控硅三相全控桥及散热装置总成
专利权的终止
摘要

本实用新型一种可控硅三相全控桥及散热装置总成属可控硅整流技术领域,包括共阴极组可控硅、共阳极组可控硅、上散热器、中散热器和下散热器,中散热器包括分立的中左散热片、中中散热片和中右散热片,上散热器包括分立的上左散热片、上中散热片和上右散热片,下散热器包括分立的下左散热片、下中散热片和下右散热片,上左散热片、上中散热片、上右散热片、下左散热片、下中散热片和下右散热片上均设有翅片,本实用新型将上散热器和下散热器中的各散热片,分立式制作,使用安装时再固定连接成为一个整体散热器,使采用小型、简单的设备及技术即能生产较为理想的大功率可控硅散热装置(片)成为可能乃至现实。

基本信息
专利标题 :
一种可控硅三相全控桥及散热装置总成
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820041521.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-07-28
授权号 :
CN201238051Y
授权日 :
2009-05-13
发明人 :
陆小荣
申请人 :
陆小荣
申请人地址 :
212300江苏省丹阳市云阳路8号13幢
代理机构 :
镇江京科专利商标代理有限公司
代理人 :
夏哲华
优先权 :
CN200820041521.1
主分类号 :
H01L25/07
IPC分类号 :
H01L25/07  H01L23/367  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2017-09-15 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101747561315
IPC(主分类) : H01L 25/07
专利号 : ZL2008200415211
申请日 : 20080728
授权公告日 : 20090513
终止日期 : 20160728
2009-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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