一种可控硅检测装置
专利权的终止
摘要

本实用新型适用于可控硅检测领域,提供了一种可控硅检测装置,包括电源电路,与待检测的可控硅连接,为待检测的可控硅提供导通电压;触发电路,与待检测的可控硅连接,为待检测的可控硅提供触发电压;以及检测结果指示装置,串接在所述电源电路与待检测的可控硅之间,指示待检测的可控硅的检测结果。本实用新型结构简单,易于制作,造价低,使用方便,具有多种检测功能,可以方便、迅速、可靠地检测可控硅的好坏,给可控硅设备的维修带来很大方便。采用该检测装置可以直接对设备中的可控硅进行检测,不需要将可控硅取出,检测结果可以直观指示,不会导致检测失误。

基本信息
专利标题 :
一种可控硅检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820093722.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-04-29
授权号 :
CN201218833Y
授权日 :
2009-04-08
发明人 :
罗秋华张永清
申请人 :
比亚迪股份有限公司
申请人地址 :
518118广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号
代理机构 :
深圳中一专利商标事务所
代理人 :
张全文
优先权 :
CN200820093722.6
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01R31/27  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2017-06-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101727562202
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL2008200937226
申请日 : 20080429
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20160429
2009-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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