一种具有紫外响应的硅基成像器件

专利权的终止

摘要

一种具有紫外响应的硅基成像器件，其特征在于：在硅基成像器件光敏元基片的一面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Alq₃材料的变频薄膜，与硅基成像器件光敏元基片致密结合。所述的变频薄膜，Alq₃材料是经过预烘烤后的有机金属配价物Alq₃粉末作为镀膜材料。所述的变频薄膜厚度：光学厚度125nm。本实用新型不但有效提高了硅基成像器件紫外响应的能力，而且克服了有机变频薄膜随时间衰减老化的问题。能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，将探测区域拓展到紫外波段。

基本信息

专利标题：

一种具有紫外响应的硅基成像器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820152099.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-08-18

授权号：

CN201247776Y

授权日：

2009-05-27

发明人：

田鑫张大伟刘猛倪争技黄元申庄松林

申请人：

上海理工大学

申请人地址：

200093上海市军工路516号

代理机构：

上海东创专利代理事务所

代理人：

宁芝华

优先权：

CN200820152099.7

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146 H01L27/148 H01L31/09 H01L31/0232