沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备
授权
摘要
沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。
基本信息
专利标题 ：
沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102621817A
申请号 ：
CN201210056238.7
公开（公告）日 ：
2012-08-01
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·M·J·W·范赫彭V·Y·巴尼内J·H·J·莫尔斯C·I·M·A·斯皮D·J·W·克鲁德P·C·扎姆
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维尔德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王波波
优先权 ：
CN201210056238.7
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2014-12-31 ：
授权
2012-09-26 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101329752989
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2012100562387
申请日 : 20050930
号牌文件序号 : 101329752989
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利申请号 : 2012100562387
申请日 : 20050930
2012-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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