具有气隙间隔体的晶体管
授权
摘要
可以将微电子晶体管制造为具有气隙间隔体，所述气隙间隔体被形成为栅极侧壁间隔体，以使得所述气隙间隔体位于微电子晶体管的栅极电极与微电子晶体管的源极接触部和/或漏极接触部之间。由于气态物质的介电常数显著低于固态或半固态电介质材料的介电常数，因而气隙间隔体可以在栅极电极与源极接触部和/或漏极接触部之间产生最低的电容耦合，这样可以降低微电子晶体管的电路延迟。
基本信息
专利标题 ：
具有气隙间隔体的晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107851659A
申请号 ：
CN201580081756.6
公开（公告）日 ：
2018-03-27
申请日 ：
2015-07-17
授权号 ：
CN107851659B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李呈光J·朴E-S·刘E·S·卡西迪-康福特W·M·哈菲兹C-H·简
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN201580081756.6
主分类号 ：
H01L29/49
IPC分类号 ：
H01L29/49 H01L21/764 H01L21/768 H01L29/66
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2018-08-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/49
申请日 : 20150717
申请日 : 20150717
2018-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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