用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法
授权
摘要
本申请用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法。具体地，公开一种装置，该装置包括具有主体并耦合在电路中的第一场效应管(FET)。该装置还包括具有主体并耦合在该电路中的第二场FET。该电路由于失配而具有偏移。该装置进一步包括耦合到第一FET的主体并耦合到第二FET的主体的偏移修正电路。该偏移修正电路为向第一FET的主体提供第一偏移修正信号并向第二FET的主体提供第二偏移修正信号。
基本信息
专利标题 ：
用于电子电路中偏移修正的装置和相关方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106817092A
申请号 ：
CN201611102664.4
公开（公告）日 ：
2017-06-09
申请日 ：
2016-11-29
授权号 ：
CN106817092B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
袁刚S·严M·鲍威尔
申请人 ：
硅实验室公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN201611102664.4
主分类号 ：
H03F1/30
IPC分类号 ：
H03F1/30 H03F3/45
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2018-12-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/30
申请日 : 20161129
申请日 : 20161129
2017-06-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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