减低互连介电阻挡堆叠中陷阱引发的电容的方法
授权
摘要
本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。
基本信息
专利标题 ：
减低互连介电阻挡堆叠中陷阱引发的电容的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107851608A
申请号 ：
CN201680044373.6
公开（公告）日 ：
2018-03-27
申请日 ：
2016-06-28
授权号 ：
CN107851608B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
任河梅裕尔·B·奈克曹勇程亚娜叶伟锋
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201680044373.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20160628
申请日 : 20160628
2018-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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