用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法
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摘要
本发明涉及一种用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法，该叠层旨在用于电子器件，尤其是有机光电探测器或有机太阳能电池，所述工艺包括以下步骤：(a)将第一导电材料层(2)沉积在衬底的正面，以形成第一电极；(b)沉积有机半导体薄层形式的有源层(3)，所述层包括不连续区域。所述方法的特征在于，其还包括以下步骤：(d)将薄的树脂层(4)沉积在叠层的与衬底相对的一面，该衬底至少为部分透明的；(e)经由所述衬底的背面(10)来绝缘树脂层(4)；(f)对树脂层进行显影；(g)沉积第二导电材料层(5)，以形成第二导电电极。
基本信息
专利标题 ：
用于制造第一电极/有源层/第二电极的叠层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107925005A
申请号 ：
CN201680047027.3
公开（公告）日 ：
2018-04-17
申请日 ：
2016-06-16
授权号 ：
CN107925005B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
J-M·韦里亚克S·夏洛
申请人 ：
原子能和能源替代品委员会;ISORG公司;曲克赛尔股份有限公司
申请人地址 ：
法国巴黎
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN201680047027.3
主分类号 ：
H01L51/44
IPC分类号 ：
H01L51/44 H01L51/52 H01L51/56 H01L51/50
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/44
申请日 : 20160616
申请日 : 20160616
2018-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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