使用离子对纳米尺度图案化特征进行工程设计的技术

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摘要

一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。

基本信息

专利标题：

使用离子对纳米尺度图案化特征进行工程设计的技术

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107924818A

申请号：

CN201680048977.8

公开（公告）日：

2018-04-17

申请日：

2016-06-02

授权号：

CN107924818B

授权日：

2022-06-03

发明人：

赛门·罗芙尔约翰·哈塔拉亚当·普兰德戴辉雄

申请人：

瓦里安半导体设备公司

申请人地址：

美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

马爽

优先权：

CN201680048977.8

主分类号：

H01L21/027

IPC分类号：

H01L21/027 H01L29/06 G03F7/20 H01L21/265