用于半导体晶片检验的成像性能优化方法
授权
摘要
本发明揭示检验系统及用于调整/优化所述检验系统的成像性能的方法。检验系统可包含：光学组件，其经配置以将检验光传送到受验体；及检测器，其经配置以至少部分基于传送到所述受验体的所述检验光而获得所述受验体的图像。所述检验系统还可包含与所述光学组件及所述检测器通信的处理器。所述处理器可经配置以：基于由所述检测器获得所述受验体的所述图像而测量所述光学组件的像差；及调整所述光学组件以补偿所述像差的变化。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体晶片检验的成像性能优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108140594A
申请号 ：
CN201680061551.6
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-08-18
授权号 ：
CN108140594B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
J·内斯比特J·奈特T·鲁辛V·帕尔辛S·卢妮亚K·莱M·穆鲁加M·贝利
申请人 ：
科磊股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张世俊
优先权 ：
CN201680061551.6
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2018-08-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20160818
申请日 : 20160818
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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