具有虚设单元的非易失性存储器装置及控制其的方法
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摘要
提供了具有虚设单元的非易失性存储器装置及控制其的方法。非易失性存储器装置包括单元串、地选择晶体管和至少一个虚设单元。单元串包括至少一个存储器单元。所述至少一个虚设单元设置在至少一个存储器单元与地选择晶体管之间并连接到位线。控制器运行虚设单元控制逻辑，虚设单元控制逻辑被配置为在预充电周期的至少一部分中将至少一个虚设单元的栅极电压控制为低于至少一个虚设单元的阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
具有虚设单元的非易失性存储器装置及控制其的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108231103A
申请号 ：
CN201710674849.0
公开（公告）日 ：
2018-06-29
申请日 ：
2017-08-09
授权号 ：
CN108231103B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
俞昌渊朴俊泓金成镇
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘灿强
优先权 ：
CN201710674849.0
主分类号 ：
G11C7/12
IPC分类号 ：
G11C7/12 G11C7/18 G11C8/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/12
位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-02-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/12
申请日 : 20170809
申请日 : 20170809
2018-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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