MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法,寻址点火电路包括衬底、绝缘介质层和金属引线;衬底上设置第一层金属引线,然后沉积第一层绝缘介质层作为与第二层金属引线的绝缘层,在第一层绝缘介质层上布置第二层金属引线,然后沉积第二层绝缘介质层作为与第三层金属引线的绝缘层,重复上述工艺,实现多层金属引线的立体化布置。本发明在垂直于衬底表面的方向上实现多层金属引线的立体布置,将目前基于二维平面的集成度升级成基于三维立体的体集成度,充分利用衬底面积,在不增加芯片面积和工艺难度的基础上,增加金属引线的线宽以提高大电流承受能力。
基本信息
专利标题 :
MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107933969A
申请号 :
CN201711051350.0
公开(公告)日 :
2018-04-20
申请日 :
2017-10-31
授权号 :
CN107933969B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
朱健王守旭贾世星杜国平王冬蕊
申请人 :
中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请人地址 :
江苏省南京市中山东路524号
代理机构 :
南京理工大学专利中心
代理人 :
陈鹏
优先权 :
CN201711051350.0
主分类号 :
B64G1/40
IPC分类号 :
B64G1/40 B81B1/00 B81B7/02 F02K9/14 F02K9/32
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B64
飞行器;航空;宇宙航行
B64G
宇宙航行;及其所用的飞行器或设备
B64G1/00
宇宙航行的飞行器
B64G1/22
宇宙航行飞行器的部件或专门适用于装入或装到宇宙航行运载工具上的设备
B64G1/40
推进系统的布置或配置
法律状态
2022-04-01 :
授权
2018-05-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B64G 1/40
申请日 : 20171031
申请日 : 20171031
2018-04-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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