一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
授权
摘要
本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，为了实现上述目的，本发明实施例提供一种LDMOSFET，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压P型阱和高压N型阱；所述高压N型阱上方依次设有第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，其中，所述第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区中的至少一者的上表面有凸起。该LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114171585A
申请号 ：
CN202210124399.9
公开（公告）日 ：
2022-03-11
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
CN114171585B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵敏岑
优先权 ：
CN202210124399.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-03-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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