紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构
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摘要
本公开涉及一种紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构。放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、以及具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。输出阻抗匹配网络将第一输出端子电耦合至RF输出端口。第一电感器串联电连接在第一输出端子和RF输出端口之间，第一LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间，以及第二LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间。第一LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。
基本信息
专利标题 ：
紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108233881A
申请号 ：
CN201711397687.7
公开（公告）日 ：
2018-06-29
申请日 ：
2017-12-21
授权号 ：
CN108233881B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
T·坎宁B·阿里功张海东C·舒伯斯D·席巴赫R·威尔逊周荣国
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国诺伊比贝尔格
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
郑立柱
优先权 ：
CN201711397687.7
主分类号 ：
H03F1/56
IPC分类号 ：
H03F1/56 H03F3/193
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2018-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/56
申请日 : 20171221
申请日 : 20171221
2018-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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