阻抗匹配结构的半导体芯片测试同轴插座及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种阻抗匹配结构的半导体芯片测试同轴插座及其制备方法,同轴插座包括测试插座定位基板、测试插座母体、测试插座盖板和测试探针,所述测试插座母体和测试插座盖板内分别固定安装聚合物一和聚合物二,所述聚合物一和聚合物二内分别设置探针卡槽一和探针卡槽二,该探针卡槽一和探针卡槽二内穿设测试探针。本发明利用导电金属做测试插座母体、测试插座盖板,并和探针之间做好50欧姆单端或者100欧姆差分的阻抗匹配,来达到优异的信号传输和热量的传导,导电金属测试插座做接地的屏障结构,有效屏蔽通道和通道之间的串扰,同时可以将测试产生的热量快速传导出去。
基本信息
专利标题 :
阻抗匹配结构的半导体芯片测试同轴插座及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110726918A
申请号 :
CN201910914677.9
公开(公告)日 :
2020-01-24
申请日 :
2019-09-25
授权号 :
CN110726918B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
施元军殷岚勇高宗英刘凯杨宗茂
申请人 :
苏州韬盛电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市苏州工业园区唯文路18号
代理机构 :
郑州裕晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
徐志威
优先权 :
CN201910914677.9
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-05 :
授权
2020-09-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20190925
申请日 : 20190925
2020-01-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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