混合同轴结构的半导体测试插座及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种混合同轴结构的半导体测试插座及其制备方法，测试插座包括测试插座定位板、绝缘测试插座母体、嵌入式导电插座母体、嵌入式导电插座盖板和绝缘测试插座盖板，所述测试插座定位板、绝缘测试插座母体和绝缘测试插座盖板从上到下依次顺序设置，所述绝缘测试插座母体上设置槽口，该槽口内设置嵌入式导电插座母体和嵌入式导电插座盖板。本发明利用导电金属制作的同轴结构可以达到较好的通道之间的隔离度，大大减少了测试插座的制作成本和生产周期，同时高频信号部分可以达到‑1dB/40GHz的插损和‑10dB/40GHz的回损，通道和通道之间的隔离度高过‑40dB/20GHz。

基本信息

专利标题：

混合同轴结构的半导体测试插座及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110726917A

申请号：

CN201910914470.1

公开（公告）日：

2020-01-24

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN110726917B

授权日：

2022-04-05

发明人：

施元军殷岚勇高宗英刘凯杨宗茂

申请人：

苏州韬盛电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区唯文路18号

代理机构：

郑州裕晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

徐志威

优先权：

CN201910914470.1

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G01R31/12 G01R1/04

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2022-04-05 ：

授权

2020-09-11 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20190925

2020-01-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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